已經(jīng)拋棄內(nèi)存產(chǎn)品線，全心投入固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)的OCZ今天正式發(fā)布了新款PCI-E接口固態(tài)硬盤(pán)Z-Drive R3，主要針對(duì)企業(yè)級(jí)市場(chǎng)。該硬盤(pán)最早于月初的CES 2011上進(jìn)行展示，除了夸張的性能表現(xiàn)外，還是首款使用OCZ獨(dú)創(chuàng)VCA（Virtualized Controller Architecture虛擬化控制器架構(gòu)）技術(shù)的產(chǎn)品。

通常情況下，企業(yè)用戶或極限玩家為了追求高存儲(chǔ)性能，都要使用RAID卡并聯(lián)多塊固態(tài)硬盤(pán)，市場(chǎng)上幾乎所有的PCI-E固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品也都是類似原理，即由一顆RAID控制器對(duì)應(yīng)多顆閃存控制芯片的內(nèi)部RAID方案。而無(wú)論RAID卡還是內(nèi)部RAID方案都存在不少的限制，比如無(wú)法在RAID陣列內(nèi)支持TRIM，以及RAID控制器造成的讀寫(xiě)性能、延遲瓶頸等。

OCZ自行開(kāi)發(fā)的VCA虛擬化控制器架構(gòu)技術(shù)正是固態(tài)硬盤(pán)時(shí)代的RAID替代者。它通過(guò)使用I/O物理接口、存儲(chǔ)專用處理器、附加邏輯芯片以及2顆或以上的NAND閃存主控芯片，構(gòu)建一個(gè)VCA堆棧，相當(dāng)于創(chuàng)造出一個(gè)“虛擬化超級(jí)閃存控制器”。這一虛擬控制器將可直接控制多顆主控芯片下的閃存，突破單個(gè)控制器的容量、性能限制，并且仍然可以支持TRIM、SMART監(jiān)控、NCQ、TCQ、掉電保護(hù)、負(fù)載均衡等功能特性。除PCI-E固態(tài)硬盤(pán)外，該方案未來(lái)還將用于SATA、SAS、FC、HSDL接口產(chǎn)品中。

首款采用該技術(shù)的Z-Drive R3基于PCI-E 2.0 x8接口，半高設(shè)計(jì)方便在1U機(jī)架式服務(wù)器中安裝，VCA架構(gòu)下可用兩顆或四顆SandForce閃存控制器，300GB、600GB或1.2TB容量 MLC閃存，讀取速度1GB/s，寫(xiě)入速度970MB/s，4K隨機(jī)寫(xiě)入135000IOPS，板載大容量電容支持掉電保護(hù)，平均無(wú)故障工作時(shí)間高達(dá)1000萬(wàn)小時(shí)。

該卡尺寸為169.55x79.19x19.24mm，重139g。除目前的SandForce MLC方案外，還將推出SLC、eMLC閃存方案產(chǎn)品，以及4K隨機(jī)寫(xiě)入25萬(wàn)IOPS的全高版本。

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