雖然DRAM總體位元需求依然會維持在20%左右，但需求結構正在發(fā)生改變。智能手機出貨量面臨瓶頸的背景下，移動端DRAM需求增長主要來自單機內存容量的提升。但服務器和企業(yè)用DRAM需求則受益于大數(shù)據(jù)和AI訓練等新需求而快速增長。新興需求推動當前高度集中的DRAM市場格局難以適應推陳出新不斷發(fā)展的需求變化，正是新廠商的進入良機。隨著移動端增長結構的改變，以及大數(shù)據(jù)、AI和數(shù)據(jù)中心等新需求的興起，DRAM市場正面臨巨大的增長機會和結構性變化。

    DRAM存儲器和Flash閃存芯片是當前市場中最為重要的存儲器。DRAM是最為常見的系統(tǒng)內存，雖然性能較為出色，但是其斷電易失，相比于其同級別的易失性存儲器，其成本更低，故而其在系統(tǒng)內存中最為常見；Flash則是應用最廣泛的非易失性存儲，其斷電非易失性使其主要被應用于大容量存儲領域。

    DRAM：內存常用的存儲介質。DRAM的數(shù)據(jù)可存儲時間非常短，其使用電容存儲來保持數(shù)據(jù)，因而必須每隔一段時間進行一次刷新，否則信息就會丟失。與SRAM相比，DRAM雖然速度更慢，且保持數(shù)據(jù)的時間也相對較短，但其價格卻更加便宜。由于技術上的差別，DRAM的功耗較低，集成度高且體積更小，并且在速度上也優(yōu)于所有的ROM，故而被廣泛的應用。

    Flash：大容量閃存。在存儲器發(fā)展的早期，ROM一直作為系統(tǒng)的主要存儲設備，但目前其已被Flash全面代替了。在特點上，F(xiàn)lash兼具RAM和ROM和優(yōu)勢，其不僅斷電后不會丟失數(shù)據(jù)，而且具有電子可擦除、可編程性能。雖然在讀取速度上Flash略遜于DRAM，但是其速度仍然較快，且其成本遠低于DRAM。在分類上，目前Flash主要分為NOR和NAND兩種類型，二者區(qū)別主要在于讀取方式存在差異，以及存儲單元的連接方式不同。

    NORFlash：NORFlash以“字”為基本單位，可以直接運行裝載在其中的代碼（XIP）。相比NANDFlash，NORFlash的寫入速度更慢，且其成本更高，因此其主要被應用于DVD、功能手機、USBKey、TV、機頂盒、物聯(lián)網(wǎng)設備等小容量代碼閃存領域，目前在0-16MBFlash市場上，NORFlash占據(jù)了大部分的市場份額。NORFlash可分為串行和并行，其目前以串行為主，具有XIP特性，但成本較高，主要占據(jù)小容量市場。此外，由于串行的接口簡單、更加輕薄小巧、功耗和系統(tǒng)總體的成本也更低，所以雖然在讀取速度上，其不及并行NORFlash，但仍已成為主要系統(tǒng)方案商的首選。

    NANDFlash：NANDFlash以“塊”為基本單位，其單位容量的成本低，寫入與讀取速度也均優(yōu)于NORFlash，但用戶不能對NANDFlash上的代碼進行直接運行，因此，很多開發(fā)板在使用NANDFlash的同時，另需一塊NORFlash來運行啟動代碼。由于具有NANDFlash寫入和擦出速度快、成本低等特點，其主要被應用在大容量存儲領域，如嵌入式系統(tǒng)（非PC系統(tǒng)）的DOC（芯片磁盤），以及常用的閃盤，比如手機、平板電腦、U盤、固態(tài)硬盤等。

DRAM存儲器讀寫快成本高

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    在DRAM中，又可以根據(jù)技術規(guī)格的不同可以分為DDR系列、GPDDR系列、LPDDR系列等類別。其中DDR系列為普通DRAM，GPDDR全稱圖形用雙倍數(shù)據(jù)傳輸率存儲器（GraphicsDoubleDataRate），是一種高性能顯卡使用的同步動態(tài)隨機存取存儲器，專為高帶寬需求計算機應用所設計。LPDDR指的是低功耗雙倍數(shù)據(jù)傳輸率存儲器（LowPowerDoubleDataRateSDRAM），主要用于便攜設備。目前DDR和DDR2已經(jīng)基本退出市場，而以DDR3、DDR4以及LPDDR系列為主。

DRAM技術規(guī)格不斷發(fā)展下一代為DDR5

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    DDR3屬于SDRAM家族的內存產(chǎn)品，提供了相較于DDR2更高的運行效能與更低的電壓，是DDR2的后繼者（增加至八倍），也是現(xiàn)時流行的內存產(chǎn)品規(guī)格。DDR3采用8bit預取設計，而DDR2為4bit預取，這樣DRAM內核的頻率只有等效數(shù)據(jù)頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz。其次，DDR3采用點對點的拓撲架構，以減輕地址/命令與控制總線的負擔。最后，DDR3采用100nm以下的生產(chǎn)工藝，將工作電壓從DDR2的1.8V降至1.5V，增加異步重置（Reset）與ZQ校準功能。

    DDR4內存是目前市場上新銳的DDR系列內存規(guī)格，第一條DDR4內存是在2014年由三星研制成功。DDR4相比DDR3最大的區(qū)別有三點：16bit預取機制（DDR3為8bit），同樣內核頻率下理論速度是DDR3的兩倍；更可靠的傳輸規(guī)范，數(shù)據(jù)可靠性進一步提升；工作電壓降為1.2V，更節(jié)能。

    在未來，DDR5規(guī)格也將到來，2018年10月，Cadence和鎂光公布了自己的DDR5內存研發(fā)進度，兩家廠商已經(jīng)開始研發(fā)16GBDDR5產(chǎn)品，并計劃在2019年底實現(xiàn)量產(chǎn)目標。DDR5的主要特性是芯片容量，而不僅僅是更高的性能和更低的功耗。DDR5預計將帶來4266至6400MT/s的I/O速度，電源電壓降至1.1V。與DDR4相比，改進的DDR5功能將使實際帶寬提高36％，即使在3200MT/s和4800MT/s速度開始，與DDR4-3200相比，實際帶寬將高出87％。與此同時，DDR5最重要的特性之一將是超過16GB的單片芯片密度。

新技術和新結構支持DDR5功耗控制和性能提升

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    LPDDR（LowPowerDoubleDataRateSDRAM）是DDRSDRAM的一種，又稱為mDDR(MobileDDRSDRAM)，是美國JEDEC固態(tài)技術協(xié)會面向低功耗內存而制定的通信標準，以低功耗和小體積著稱，專門用于移動式電子產(chǎn)品。而DDR/DDR3/DDR4/DDR5是內存顆粒，內存條是把多顆顆粒一起嵌入板中而成，用于電腦等。

    一、市場需求

    從2018年下半年開始DRAM價格進入下行周期。而通過供需分析，認為DRAM供給當前處于由于技術節(jié)點進步放緩造成的低增長平臺期，同時需求在5G、AI、大數(shù)據(jù)等應用拉動下會維持較高增速。預計DRAM市場在2019年消化庫存，并在2020年前后重新達到供需平衡。

DXI價格指數(shù)從2H18開始下滑，表明DRAM景氣度向下

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    DRAM是存儲器市場上的常青樹，從1966年IBM研發(fā)出世界上第一塊易失性存儲器（DRAM）開始，它就一直在我們的計算系統(tǒng)中占據(jù)著核心位置。從現(xiàn)有的計算機系統(tǒng)結構來看，存儲器分為緩存、內存（主存儲器）、外存（輔助存儲器）三大類。其中緩存要求速度高，但容量小，通常使用SRAM。內存要求一定的讀寫速度和用來支持運行程序本身及所需數(shù)據(jù)的空間，相比于SRAM，DRAM保留數(shù)據(jù)的時間較短，速度也相對較慢，但從價格上來說DRAM價格較SRAM便宜很多，且由于技術區(qū)別，DRAM體積小、集成度高、功耗低，同時其速度比所有ROM都快，因此一直都是內存的不二之選。至于外存，相當于電腦的數(shù)據(jù)倉庫，對讀寫速度要求不及前二者，對容量需求巨大。

    三大存儲器所用的介質中，MDRAM的地位最穩(wěn)固，市場最大。因為SRAM雖然價高，但是容量多年來增長很少，只需滿足計算機內部的數(shù)據(jù)傳遞即可。而外存容量需求的增長又過快，導致需要不停尋找新的介質。隨著數(shù)據(jù)的大量產(chǎn)生和電子設備的小型化趨勢，外存的介質一直在變化以適應需求，從磁盤/光盤/硬盤向Flash和SSD轉變。只有DRAM從誕生伊始就具備高密度、高容量的特點，從最初的K級到現(xiàn)在的GB級，DRAM本身的原理并沒有太大改變。

    在半磁性存儲介質作為外存的年代，DRAM幾乎就是半導體存儲器的代名詞。進入新世紀后，便攜設備的發(fā)展和半導體技術的成熟推動存儲器競爭向著DRAM和Flash雙線作戰(zhàn)的格局演變。而在這個過程中，又可以分為NOR時代和NAND時代。在智能機普及之前，便攜設備對存儲空間的要求并不大，加上NORFlash支持隨機訪問的特性使它可以像普通ROM一樣執(zhí)行程序，使它成為便攜設備的主流存儲載體。在2002年，DRAM占據(jù)了整個存儲器市場55%的銷售額，而NORFlash占21%。NANDFlash只占8%，主要用于MP3、SD卡和U盤等需要較大儲存空間的應用場合

2018年閃存市場已替換為NANDFlash

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    到了智能機和便攜設備時代，形勢發(fā)生了根本的轉變，NANDFlash快速取代NORFlash成為閃存的主流。從2008年到2018年的十年間，智能機出貨量的不斷攀升和單機存儲容量的不斷擴大成為推動DRAM和NANDFlash需求不斷擴大的主要力量之一。據(jù)調查數(shù)據(jù)估計，2018年存儲器市場有61%的份額屬于DRAM，NANDFlash則占36%。剩下只有5%留給NORFlash以及ROM和SRAM。在外存介質洗牌的過程中，DRAM的市場份額一直維持在50%以上，充分體現(xiàn)了它技術上的可擴展性和市場的巨大需求。

    從市場表現(xiàn)上來看，存儲器市場呈現(xiàn)明顯的周期波動的特性。但是從長期趨勢上看，周期波動的幅度正在逐漸減小，行業(yè)整體向上趨勢明確。從過去30年的存儲器市場看，存儲器市場大致經(jīng)歷4次大回調，分別是1995—1998年間、2001年互聯(lián)網(wǎng)泡沫破裂、2007—2008年間、以及2011—2012年間。這四次回調的幅度分別為58%、50%、23%和17%。這背后的原因主要是需求端結構的多樣化以及更快地供求再平衡。

    從需求端來看，存儲器的需求結構正快速向著多樣化轉變，云服務和大器數(shù)據(jù)等應用帶來地服務器DRAM需求將成為DRAM市場未來的強大增長動力。

    當前DRAM的應用領域分為移動設備、服務器、PC、消費電子等主要領域。據(jù)調查數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2018年DRAM需求增提長22.3%，其中服務器應用連續(xù)兩年保持最快增速。

    智能機DRAM需求增長方式的轉變，從出貨量+單機容量的“雙量齊升”轉變?yōu)槿萘刻嵘�的單點拉動。2018年的DRAM位元需求將由過去的智能機需求單點拉動轉變?yōu)橹悄軝C需求和服務器需求齊頭并進。在智能機出貨量增長乏力的背景下，智能機內存容量的增長成為移動端DRAM需求增長的主要動因。雖然移動端DRAM在未來依然會是最重要的DRAM市場，但它的增長速度會因為增長方式的改變而有所放緩。

2010-2020年智能機DRAM平均容量及預測

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    服務器DRAM需求快速崛起。2018年全球服務器出貨量約為1242萬臺，同比增長5%。雖然出貨量增速看似不高，但單機容量卻在迅速上升。據(jù)調查數(shù)據(jù)估計，2018年服務器平均內存裝載量已達到145GB，預到計到2021年標準型服務器的DRAM平均容量將達到366GB，CAGR將達26%。

    服務器領域還有一個不容忽視的趨勢是數(shù)據(jù)中心的快速發(fā)展。相比于服務器10%以下的整體增長率，數(shù)據(jù)中心的增長高達20%左右。據(jù)調查數(shù)據(jù)統(tǒng)計，平均一座IDC可容納約8000至15000個服務器機架，而一個機架可搭載4臺以上不同尺寸的服務器，據(jù)估算將拉動1000萬GB至200萬GB的服務器DRAM位元需求。

全球服務器出貨量增長穩(wěn)定

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    除了傳統(tǒng)服務器以外，深度學習等特殊需求的服務器也將有力地驅動存儲需求。根據(jù)調查數(shù)據(jù)估計，一臺用于AI訓練的服務器，其DRAM需求是普通服務器的6倍，SSD需求是普通服務器的2倍。而2021年具備AI訓練能力的服務器出貨量將達到全球服務器出貨量的八分之一，到2025年，這個比例有望增長兩倍。在以上這些因素的共同作用下，未來兩年DRAM和NANDFlash的需求仍將保持20%和40%的復合年增長率。

服務器領域DRAM需求增速加快

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    從供給端看，DRAM供給增速處于整體放緩的趨勢。DRAM位元供給的增長來源以工藝進步帶來的密度提升為主，以產(chǎn)能擴張帶來的投片量提升為輔。但是近年來DRAM在進入20nm制程以后，制程提升開始遇到瓶頸，主流廠商出于成本和研發(fā)難度的考慮，對1Xnm及以下制程的開發(fā)應用比較謹慎。目前三星、鎂光、海力士正在從20nm向18nm艱難挺進，臺灣廠商除南亞科外仍主要采用38nm制程。制程推進放緩和存儲密度增速降低直接導致DRAM綜合位元供給增速下降。

DRAM需求年增速穩(wěn)定在以上20%

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    DRAM工藝推進放緩，產(chǎn)能波動基本穩(wěn)定。全球DRAM產(chǎn)能和投片量在2010-2013年間有一陣明顯的洗牌。2010年40nm制程DRAM產(chǎn)品開始進入主流市場，在隨后三年里制程工藝前沿快速提升到20nm。主導技術換代的三星和海力士在維持產(chǎn)能不變的情況下獲得了存儲密度和成本的雙重優(yōu)勢，導致其他廠商市場份額下降，當時的第四大DRAM廠商爾必達在破產(chǎn)后被鎂光收購。2013—2017年從供給端來看是一個產(chǎn)能的平臺期，總體產(chǎn)能穩(wěn)定，20nm制程占比逐步提升。DRAM價格在這一時期先抑后揚，主要是在消化前期制程提升帶來的豐富供給。當前DRAM市場的弱勢與2013年的根本不同在于目前沒有制程的跨越式發(fā)展，供求關系沒有質變。

    預計2020年左右前期庫存和輕微的供大于求會一并消化完畢，重新達到平衡。2020年后5G和AI的普及和應用將成為拉動半導體需求的重要力量，同時下一代DRAM制程也將開始普及，整個DRAM市場供需關系會更加復雜，但規(guī)模總體向上的趨勢是確定的。2019年~2020年除海力士新開無錫產(chǎn)線外，其他廠商都沒有大規(guī)模擴產(chǎn)計劃，總體年投片量增幅在3%~5%之間。在此基礎上，我們綜合考慮供需增長和累計庫存等往年影響進行供求平衡測算。

    2018年三星擴產(chǎn)8%，海力士無錫廠也小幅擴產(chǎn)，快速填補需求缺口，景氣行情終結。但是之后除海力士外其他大廠商均無大規(guī)模擴產(chǎn)，1Znm以下制程預計要在2021年才大規(guī)模進入市場。今明兩年會是一個投片量、制程水平的雙重平臺期，我們預計需求增速的反超會在2019年消化庫存，2020年前后DRAM位元供求會重新達到平衡。

DRAM市場有望在2020年恢復供求平衡至景氣

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    二、其他國家情況

    1、美國

    主導時期：原發(fā)技術驅動的半導體存儲黎明。

    與日韓不同，美國發(fā)展存儲器的時候，個人計算機還沒有普及。因此當時存儲器用量小，價格高，存儲器的發(fā)展離商戰(zhàn)較遠，更多是以技術驅動。1969年，在諾伊斯和摩爾等初代集成電路元勛們的努力下，英特爾成功開發(fā)出第一塊存儲芯片——容量為64個字節(jié)的3101芯片。次年，英特爾的12號員工特德.霍夫提出了一種新的設計，將DRAM存儲器單元的晶體管從四個減少到三個。這樣就可以把更多的存儲單元集結在一起，大大提高存儲空間，達到1024個字節(jié)。這是如今所用DRAM的技術原型。

    到了1970年，英特爾在存儲器的研發(fā)上更進一步，他們開發(fā)出來容量2K的可擦除可編程只讀存儲器（EPROM）。1972年，英特爾更進一步開發(fā)出了世界上第一塊靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）2102芯片。到了70、80年代，存儲器的容量成指數(shù)增長，4K，16K，64KDRAM芯片先后問世。這一時期的半導體存儲器基本由英特爾和MOSTEK等美國公司壟斷。

    2、日本

    存儲的崛起：開創(chuàng)“官產(chǎn)學”一體發(fā)展模式。

    日本作為后發(fā)的追趕者，開創(chuàng)了頂層設計護航半導體產(chǎn)業(yè)的先河。1970年代的日本政府一手抓“產(chǎn)官學”一體推進本土半導體實力發(fā)展，一手抓進口壁壘搞產(chǎn)業(yè)保護。日本的半導體存儲起步并不晚，1971年NEC就推出了DRAM芯片，緊追英特爾的量產(chǎn)DRAM。盡管如此，日本半導體的技術實力和產(chǎn)品性能與美國依然有巨大差距。同期的美國存儲器已經(jīng)用上了超大規(guī)模集成電路（VLSI），而日本還停留在上一代技術大規(guī)模集成電路（LSI）。

    1976年，由日本政府的通產(chǎn)省牽頭，以日立、三菱、富士通、東芝、NEC五大公司作為骨干，聯(lián)合了日本通產(chǎn)省的電氣技術實驗室（EIL）、日本工業(yè)技術研究院電子綜合研究所和計算機綜合研究所，投資了720億日元，攻堅超大規(guī)模集成電路DRAM的技術難關。為期四年的VLSI攻關項目成績斐然，來自不同公司的團隊一方面互通有無，一方面互相競爭，共取得專利1210項，商業(yè)機密347件。

    VLSI攻關項目的成功直接幫助日本在DRAM的成本和可靠性上反超美國，70年代末美國DRAM的良率在50%左右，而日本能做到當時驚人的80%，構成了壓倒性的總體成本優(yōu)勢。于是日本存儲企業(yè)趁勝追擊挑起價格戰(zhàn)，DRAM芯片從1981年的50美元降到1982年的5美元一片，美國廠商招架不住節(jié)節(jié)敗退。也就是在這個時期，日本存儲產(chǎn)業(yè)完成了對美國的反超。在鼎盛的80年代末90年代初，日本DRAM占到了全球DRAM市場份額的65%以上，最終將英特爾逼退DRAM市場。

日本在1990年代超越美國成為全球DRAM最大供應國

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    日本存儲器產(chǎn)業(yè)崛起留給我們最寶貴的經(jīng)驗，就是揭示了存儲產(chǎn)業(yè)的技術密集和資本密集的特點，并且論證了官產(chǎn)學共同發(fā)展存儲產(chǎn)業(yè)的可行性和重要性。過了1960年代的存儲器田園時代以后，存儲器市場迅速增長，技術壁壘快速增高。在此后的競爭中，對技術、資金、市場三大要素的要求都極其嚴苛。單靠一個企業(yè)的力量已經(jīng)難以追趕，因此后發(fā)追趕者勢必要通過企業(yè)和政府的通力合作才能成功。

    3、韓國

    韓國半導體產(chǎn)業(yè)早期的發(fā)展憑借的是低廉的勞動力成本和土地成本，吸引外商投資建廠。這一時期韓國快速積累了大量資本，同時形成了半導體產(chǎn)業(yè)的雛形。但缺少技術、勞動密集的低端發(fā)展模式在70年代走到了盡頭。為了推動產(chǎn)業(yè)升級，韓國政府在1973年宣布了“重工業(yè)促進計劃”，并于1975年公布了扶持半導體產(chǎn)業(yè)的六年計劃，強調實現(xiàn)電子配件及半導體生產(chǎn)的本土化。

    有日本的成功經(jīng)驗在前，韓國深知必須掌握核心科技才能在存儲之路上笑走得長遠。在1982年到1987年的“半導體工業(yè)振興計劃”期間，韓國效仿日本的VLSI攻堅項目，由韓國電子電子通信研究所牽頭，聯(lián)合三星、LG、現(xiàn)代三大集團以及韓國六所大學，一起對DRAM進行技術攻關。該項目持續(xù)三年，研發(fā)費用達1．1億美元，韓國政府便承擔了57％。

    除了技術追趕之外，韓國存儲霸權的確立還離不開歷史機遇和殘酷的商業(yè)搏殺。韓國存儲產(chǎn)業(yè)抓到的最大歷史機遇就是1987年的美日半導體爭端。這場爭端最終以日本退讓，承諾通過減少DRAM產(chǎn)量來提高芯片價格。但此時適逢計算機普及浪潮，DRAM減產(chǎn)造成全球256KDRAM缺口巨大，韓國存儲企業(yè)抓住機會，順勢填補市場空白。

    在商戰(zhàn)方面，韓國的決心和實力可謂是破釜沉舟，不達目的不罷休，不顧長期巨虧，咬定存儲產(chǎn)業(yè)死死不放。比如，三星于1984年推出64KDRAM時，正趕上全球半導體業(yè)低潮，內存價格從每片4美元暴跌至每片30美分，而三星當時的生產(chǎn)成本是每片1．3美元，這意味著每賣出一片內存三星便虧1美元。

    而三星在后來的90年代，依然連續(xù)9年巨虧，在亞洲金融危機時負債率一度高達300%。在此期間，韓國政府和國內財團的資金力量都力挺三星，光是韓國政府就以優(yōu)惠利率先后提供了超過60億美元的政策性貸款。

    四、行業(yè)趨勢發(fā)展

    存儲器產(chǎn)業(yè)是典型的資本密集、技術密集產(chǎn)業(yè)，已經(jīng)形成了巨頭壟斷的格局，一個新入局的企業(yè)單靠自身很難打破壁壘。從存儲器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷史也可以看到，后發(fā)的追趕者越來越倚重于官產(chǎn)學一體研發(fā)、國內資本等企業(yè)外部力量的合力扶持。

    我國電子產(chǎn)業(yè)大環(huán)境日趨成熟，有巨大的半導體消費需求，同時產(chǎn)能和技術也在快速提升，產(chǎn)業(yè)轉型時間窗口的到來形成了客觀的“時勢”。

    社會綜合資源在順應時勢的情況下果斷大力支持存儲器產(chǎn)業(yè)，調動大量資源對存儲器國產(chǎn)化進行戰(zhàn)略攻堅，有助于國內存儲企業(yè)走出加強版的韓國路線，打破當前的壟斷格局。

    存儲器占據(jù)半導體產(chǎn)業(yè)和信息產(chǎn)業(yè)的核心地位，市場規(guī)模巨大，但壟斷格局牢固，巨頭優(yōu)勢明顯。據(jù)全球半導體貿(mào)易統(tǒng)計組織（WSTS）估算，2018年全球半導體產(chǎn)品銷售額4373億美元，其中存儲器就占到了1343億美元，超過30%。存儲器市場空間雖然巨大，但競爭卻異常激烈，而且其資本投入大、科技含量高的特點加劇了強者愈強的馬太效應，三星鎂光、海力士三巨頭已經(jīng)在DRAM領域形成了“高市占率→高營業(yè)額→研發(fā)投入大→技術領先→搶占市場”的良性循環(huán)。在強者愈強的產(chǎn)業(yè)壁壘面前，后進企業(yè)憑自身力量難以實現(xiàn)突破，還需要產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略機遇、社會資源協(xié)同支持等等外部因素的助力。

    存儲器產(chǎn)業(yè)在過去五十多年的發(fā)展中經(jīng)過了殘酷的商業(yè)競爭和淘汰，已經(jīng)形成了寡頭壟斷的局面。國外巨頭三星，SK海力士和美光在2018年DRAM全球市場中占比分別為45.5%，29.1%，21.1%，總占比超過95%，基本壟斷了整個DRAM市場。而在NANDFlash領域，三星，東芝/西部數(shù)據(jù)，美光，SK海力士和英特爾在2017年NANDFlash全球市場中占比分別為39%，32%，11%，11%，6%，總占比高達99%。

2018年DRAM被三巨頭壟斷

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    存儲產(chǎn)業(yè)的資本支出和研發(fā)成本巨大，也是該行業(yè)的一大門檻。目前主要存儲企業(yè)都采用IDM模式，不但要花費巨額經(jīng)費進行技術研發(fā)，還要承擔大量資本支出來購置設備。以鎂光為例，2019年度鎂光計劃資本支出105億美元，占到了公司2018年全年營收（304億美元）的34.5%。如此巨額的資本投入幾乎全部用于技術更新及其配套的設備更新，最終只涉及技術升級，而沒有投片產(chǎn)能的增加。

2018年半導體資本支出52%用于存儲

數(shù)據(jù)來源：公開資料整理

    存儲產(chǎn)業(yè)壁壘愈發(fā)牢固，新廠商想要崛起離不開技術攻關、資金實力、市場匹配。美國存儲作為先行者，靠企業(yè)自身力量建立領先；日本作為有技術基礎的追趕者，通過“官產(chǎn)學”一體攻關獲得技術優(yōu)勢搶占市場；韓國作為起步更晚底子更弱的追趕者，先通過技術引進開展生產(chǎn)，再效仿日本研發(fā)技術，最后通過長期的國內資本支持在市場低谷中虧損擴張。存儲器產(chǎn)業(yè)與國民經(jīng)濟戰(zhàn)略方向以及社會綜合資源的關系正越來越緊密。中國存儲企業(yè)要崛起，勢必離不開這些方面的支持，而現(xiàn)在正是東風已至的最好時機。

    從需求結構來看，中國品牌本身就有巨大的存儲器需求，他們有望在未來率先吸收國產(chǎn)存儲器產(chǎn)能。中國本土品牌在智能機和PC領域已占據(jù)相當大的市場份額。雖然從2017年開始全球智能機出貨量就開始顯露疲態(tài)，但中國手機品牌卻逆勢快速擴張。在2018年的全球智能機市場上，華為、OPPO、VIVO、小米四大品牌占據(jù)的市場份額達到37%，相比2017年提升7%個百分點。加上聯(lián)想（3%）、1+等品牌，中國品牌智能機市場份額直逼50%。而在更加成熟的PC市場，聯(lián)想、宏碁、華碩三大中國品牌穩(wěn)居全球前6大PC出貨品牌。國產(chǎn)DRAM一旦量產(chǎn)，這些中國品牌將成為最有潛力的消費客戶。

    在產(chǎn)能和需求都在轉向中國的半導體產(chǎn)業(yè)轉移大背景下，正是多方力量共同協(xié)力推動國產(chǎn)存儲的機會窗口。

中國品牌的的智能機市場份額快速擴大

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    相關報告：智研咨詢發(fā)布的《2019-2025年中國DRAM存儲器行業(yè)市場競爭現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢研究報告》

標簽： 儲存器DRAM 市場需求 發(fā)展趨勢

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