歐洲研究機(jī)構(gòu)IMEC與其合作伙伴最近成功在200mm規(guī)格硅襯底上制造出了高質(zhì)量的GaN/AlGaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)層，雙方目前正合作研究基于氮化鎵材料的 HEMT（High electron mobility transistor：高電子遷移率晶體管）異質(zhì)結(jié)構(gòu)晶體管技術(shù)。

這次成功在200mm硅襯底上制出高質(zhì)量GaN HEMT，標(biāo)志著在將功率器件引入200mm規(guī)格芯片廠進(jìn)行高效率生產(chǎn)方面取得了里程碑式的成就。（過去此類器件一般是在紅寶石襯底上制成的。）

這款基于GaN的MIS-HEMT(金屬-絕緣層-半導(dǎo)體HEMT)在制作時(shí)使用了應(yīng)用材料公司生產(chǎn)的MOCVD（金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積）設(shè)備，不過大部分生產(chǎn)設(shè)備均是采用標(biāo)準(zhǔn)的常規(guī)CMOS制造設(shè)備。

一般來說，功率管器件的歐姆接觸觸點(diǎn)以及柵極是采用金材料制作，但是在基于GaN的HEMT中如果仍采用金材料制作這些結(jié)構(gòu)則必須采用特殊的CMOS制程工藝。為了避免采用特殊工藝，IMEC在制作GaN HEMT的歐姆接觸時(shí)，采用的是非金材料，同時(shí)將HEMT管子的肖特基型柵極改為非金金屬-絕緣層-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)（MIS）柵極.MIS柵極不僅可以避免采用特殊工藝，而且相比常規(guī)HEMT器件（一般采用肖特基勢(shì)壘柵極結(jié)構(gòu)）其柵漏電電流也低得多（因?yàn)闁艠O不是與溝道直接接觸，而是中間存在絕緣層）。

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