今年以來存儲芯片行業(yè)發(fā)展迅猛，從內(nèi)存顆粒到固態(tài)硬盤，容量與速度都有了極大提升。在工藝方面，也已經(jīng)有了30nm量產(chǎn)產(chǎn)品，甚至超過了處理器工藝制程。
　　最近三星又推出了新一代大容量VLP矮版內(nèi)存，也是業(yè)內(nèi)首款單條可達16GB的VLP服務(wù)器內(nèi)存。
　　VLP內(nèi)存全稱為Very Low Profile，主要是為了一些機箱內(nèi)部空間比較狹小的通信設(shè)備，網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，刀片及機架服務(wù)器及嵌入式電腦設(shè)計的。

　　IBM的H22V刀片將首次使用這款16GB內(nèi)存
　　目前三星還沒有公布出該內(nèi)存的照片，不過它會搭配到IBM最新的H22V刀片式服務(wù)器系統(tǒng)上。傳統(tǒng)內(nèi)存高度為30mm左右，而三星這款VLP矮版內(nèi)存高度僅為18.75mm。而且通過三星的40nm雙die封裝顆粒，讓單條實現(xiàn)了16GB的超大容量。
　　除了上述這些規(guī)格之外，這款VLP內(nèi)存主打的特點在于節(jié)能。其工作電壓僅為1.35V，比傳統(tǒng)DDR3的1.5V要低不少，能夠節(jié)能20%。如果部署到服務(wù)器上，單條16GB容量則能夠比4條4GB內(nèi)存節(jié)能70%。
　　在低碳大潮席卷全球的今天，相信這些節(jié)能特征將會受到廠商與企業(yè)的青睞。

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