日前，英特爾發(fā)布小于一枚一美分硬幣、重量比一滴水還輕的閃存芯片，同時(shí)發(fā)布了容量高達(dá)160GB的SSD閃存硬盤(pán)，并稱(chēng)閃存硬盤(pán)技術(shù)將在10年內(nèi)性能提升50倍。

容量成倍增長(zhǎng):英特爾推“一美分”大小閃存 價(jià)格每年減半:2010年19美元可購(gòu)64GB產(chǎn)品

聯(lián)想X300和蘋(píng)果MacBookAir相繼用上了SSD閃存硬盤(pán)、諾基亞和索尼愛(ài)立信的最新旗艦手機(jī)用上了16GB的閃存，從今年開(kāi)始，PC和消費(fèi)電子拋棄硬盤(pán)擁抱閃存已是大勢(shì)所趨。日前，英特爾發(fā)布小于一枚一美分硬幣、重量比一滴水還輕的閃存芯片，同時(shí)發(fā)布了容量高達(dá)160GB的SSD閃存硬盤(pán)，并稱(chēng)閃存硬盤(pán)技術(shù)將在10年內(nèi)性能提升50倍；數(shù)碼影像巨頭佳能在推出基于閃存的高清DV后也表示未來(lái)DV的存儲(chǔ)介質(zhì)將統(tǒng)一到閃存之下。筆記本電腦、MP3/MP4播放器、數(shù)碼攝像機(jī)等產(chǎn)品都將大面積采用閃存硬盤(pán)，而移動(dòng)硬盤(pán)可能不久將成為歷史。

英特爾推160GB閃存硬盤(pán)

英特爾日前的最新展示成果包括業(yè)界最小的閃存芯片和容量最大的閃存硬盤(pán)，這些閃存新品將在今年年中上市。

其中，型號(hào)為Z-P140的閃存芯片分為2GB和4GB兩種儲(chǔ)存容量，重量?jī)H為0.6克，數(shù)據(jù)讀寫(xiě)速度分別為40MB/秒和30MB/秒，平均故障間隔時(shí)間達(dá)到了250萬(wàn)個(gè)小時(shí)。通過(guò)該芯片的疊加可以造出適用于筆記本電腦的大容量SSD閃存硬盤(pán)，并可用于任何支持PATA端口的消費(fèi)電子產(chǎn)品。

此外，英特爾也發(fā)布了SSD閃存硬盤(pán)產(chǎn)品，包括1.8英寸以及2.5英寸規(guī)格、容量從80GB至160GB，同時(shí)基于SATAII規(guī)范，可提供3Gb/秒的傳輸速度。

據(jù)悉，三星和東芝將在年中推出128GB的SSD閃存硬盤(pán)，英特爾搶先推出160GB的同類(lèi)產(chǎn)品，被認(rèn)為是借助在PC行業(yè)的影響力挑戰(zhàn)三星、東芝等廠商的舉動(dòng)。

閃存硬盤(pán)十年可提升50倍

作為引領(lǐng)PC硬件產(chǎn)業(yè)的芯片巨頭，英特爾的最新技術(shù)成果在其大力推廣下，閃存全面進(jìn)駐筆記本電腦很可能將在幾年內(nèi)實(shí)現(xiàn)。英特爾甚至認(rèn)為，2008年將是SSD固態(tài)硬盤(pán)之年，以固態(tài)硬盤(pán)形式出現(xiàn)的閃存將被用于個(gè)人電腦的主要存儲(chǔ)設(shè)備，其前景有可能超過(guò)CPU市場(chǎng)機(jī)會(huì)。

根據(jù)英特爾的生產(chǎn)計(jì)劃，其閃存芯片的制造工藝將向45納米發(fā)展，預(yù)計(jì)在2008年開(kāi)始采用45納米技術(shù)，預(yù)計(jì)將可把45納米內(nèi)存芯片的體積縮小到65納米工藝的一半左右。

英特爾副總裁兼NAND閃存業(yè)務(wù)部總經(jīng)理RandyWilhelm日前也表示，1996年以后大約十年內(nèi)CPU的性能提高到了原來(lái)的約30倍，而硬盤(pán)的性能只提高了1.3倍。而使用NAND閃存的SSD硬盤(pán)與現(xiàn)有硬盤(pán)相比，十年內(nèi)性能可以提高50倍。

IT廠商青睞閃存應(yīng)用

同樣對(duì)閃存硬盤(pán)技術(shù)充滿信心的還包括蘋(píng)果、佳能等消費(fèi)電子行業(yè)的龍頭廠商。在閃存芯片的發(fā)展歷史中，占全球閃存芯片采購(gòu)量13%的蘋(píng)果堪稱(chēng)推動(dòng)閃存技術(shù)和市場(chǎng)發(fā)展的最主要力量，2006年蘋(píng)果推出的iPodnano、2007年推出的iPhone和2008年推出的MacBookAir，均應(yīng)用了當(dāng)時(shí)最大容量的閃存技術(shù)。而佳能日前發(fā)布的DV產(chǎn)品戰(zhàn)略也顯示，SSD閃存硬盤(pán)有望在未來(lái)幾年取代現(xiàn)有DV產(chǎn)品的硬盤(pán)。

佳能日前推出了以FS11和HF10為代表的3款雙模存儲(chǔ)數(shù)碼攝像機(jī)新品，采用通過(guò)內(nèi)置閃存硬盤(pán)+外插SDHC大容量存儲(chǔ)卡雙重存儲(chǔ)模式。

“以目前閃存芯片價(jià)格每年減少一半、容量每年增加一倍的趨勢(shì)來(lái)看，大面積采用閃存技術(shù)被佳能認(rèn)為是DV產(chǎn)品的發(fā)展趨勢(shì)”，佳能影像信息消費(fèi)產(chǎn)品事業(yè)本部副部長(zhǎng)、電子影像事業(yè)部部長(zhǎng)國(guó)吉孝日前接受本報(bào)記者專(zhuān)訪時(shí)表示，閃存技術(shù)的發(fā)展將給數(shù)碼攝像機(jī)行業(yè)帶來(lái)劃時(shí)代的變革，采用閃存的DV產(chǎn)品將在2010年占總體36%以上，DV產(chǎn)品的存儲(chǔ)介質(zhì)將統(tǒng)一到閃存硬盤(pán)上。

大容量閃存價(jià)位迅速下降

居高不下的價(jià)格一直是阻礙閃存技術(shù)普及的主要原因。DramExchange的最新閃存芯片報(bào)價(jià)顯示，16GB閃存芯片的采購(gòu)價(jià)格約為19美元，按照業(yè)界的預(yù)測(cè)，2009年將能以相近的價(jià)格購(gòu)買(mǎi)到32GB的閃存芯片、2010年能以這個(gè)價(jià)格買(mǎi)到64GB的產(chǎn)品。

分析機(jī)構(gòu)計(jì)世資訊一位資深分析師指出，隨著三星、英特爾、東芝等閃存廠商相繼采用更先進(jìn)的生產(chǎn)工藝，閃存芯片和SSD閃存硬盤(pán)的體積有望進(jìn)一步縮小、容量也成倍上升。對(duì)DV、MP3和手機(jī)等對(duì)存儲(chǔ)容量要求不高的產(chǎn)品，目前主流閃存芯片的容量已足夠大，成本也已經(jīng)與硬盤(pán)相差不大。但對(duì)于容量要求更大的筆記本電腦、DV等產(chǎn)品，SSD閃存硬盤(pán)還需要一兩年才能降到更合理的水平。本報(bào)記者黃懿

產(chǎn)業(yè)案例

佳能首推內(nèi)置閃存DV

佳能最近推出的雙模存儲(chǔ)高清數(shù)碼攝像機(jī)HF10，重量?jī)H380克，16GB內(nèi)置閃存最長(zhǎng)可保存近12小時(shí)高清影像，并可通過(guò)SDHC卡無(wú)限擴(kuò)充存儲(chǔ)容量，具有機(jī)身更小巧、反應(yīng)更迅速、耗電量更低、靜音操作、可靠性高和抗震性強(qiáng)六大優(yōu)勢(shì)。

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