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英特爾將發(fā)布153Mbit SRAM芯片

2018-06-11    來源:

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  英特爾將在ISSCC 2008上發(fā)布采用high-k絕緣膜和金屬柵極的、基于45nm CMOS工藝的SRAM。電源電壓為1.1V時,工作頻率為3.5GHz。主要用于新一代“Core2”微處理器的二次緩存。

  為提高低壓工作時SRAM單元的穩(wěn)定性,對單元的PMOS晶體管進(jìn)行了動態(tài)體偏壓(body bias)控制。除此之外,還配備有可編程控制LSI工作時的漏電電流的電路。內(nèi)存單元的面積是0.346μm2。演講的題目為“A 153Mb SRAM Design with Dynamic Stability Enhancement and Leakage Reduction in 45nm High-K Metal-Gate CMOS Technology”。

  在65nm的LSI之前,邏輯LSI廠商的晶體管柵極絕緣膜一直采用SiON系材料等。但是工藝微細(xì)化發(fā)展到45nm之后,人們越來越擔(dān)心在柵極絕緣膜厚度日趨減小的同時,漏電流也會猛增。通過采用high-k絕緣膜,可以減小漏電流,提高LSI的性能。

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