2008年中國工業(yè)設(shè)計(jì)十大趨勢之一：大容量才有大市場。從今年各個(gè)IT制造企業(yè)發(fā)布的一系列產(chǎn)品可以看出，大容量已經(jīng)出現(xiàn)在PC機(jī)、移動設(shè)備、數(shù)碼產(chǎn)品等各種IT產(chǎn)品上，對于消費(fèi)者來說，在未來花與現(xiàn)在同樣多的錢卻能買到存儲空間更大的產(chǎn)品無疑是一件美事。



在容量提升技術(shù)上，晶圓堆疊一直備受矚目。三星電子之前宣布已經(jīng)開發(fā)出適用于全系列DRAM的堆疊式封裝，采用穿硅孔技術(shù)，將會為內(nèi)存帶來更快的速度，更小的體積以及更低的功耗。據(jù)悉，這種最新的堆疊封裝（WSP）是一種高密度、高性能的半導(dǎo)體解決方案，將會在2010年及之后的下一代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中發(fā)揮光和熱。在英國，南安普敦大學(xué)的研究人員日前宣布，他們已開發(fā)出一種技術(shù)能夠以3-D結(jié)構(gòu)精確而低成本地實(shí)現(xiàn)硅晶圓堆疊。據(jù)悉，該項(xiàng)目的研究人員正在向英國工程和物理科學(xué)研究委員會提出資助申請，以使他們能夠在這一領(lǐng)域開展進(jìn)一步的工作。至于何時(shí)能應(yīng)用于我們的生活中，也還是個(gè)未知數(shù)。



就在晶圓堆疊技術(shù)發(fā)展的現(xiàn)階段，KINGMAX的閃存晶圓堆疊技術(shù)早已取得大陸、臺灣、日本、德國、韓國、英國及美國等地的專利，并在其內(nèi)存、閃存的各條產(chǎn)品線上普遍應(yīng)用，使得在容量擴(kuò)展，速度提升的大勢所趨之下，一路小跑，遙遙領(lǐng)先。更高級的晶圓堆疊技術(shù)姑且不說何時(shí)能發(fā)光發(fā)熱，能發(fā)多大的光多大的熱，就目前技術(shù)發(fā)展的層面而言，KINGMAX收入囊中的獨(dú)家專利便已是業(yè)內(nèi)之先，行業(yè)之尖，何況KINGMAX的優(yōu)勢向來在于技術(shù)的研發(fā)和創(chuàng)新，所以未來存儲業(yè)的技術(shù)競爭格局如何，還大有戲看。



所謂晶圓堆疊技術(shù)，可以在一個(gè)存儲單元上至少放置二個(gè)以上的閃存晶圓。目前KINGMAX已經(jīng)可以達(dá)到8層的堆疊，而9層堆疊技術(shù)實(shí)際上是用8層晶圓加上1層控制器實(shí)現(xiàn)的，也就是說，在使用同樣級別的晶圓單位的情況下，采用堆疊技術(shù)的產(chǎn)品最大容量可達(dá)普通八倍，當(dāng)然，這還只是現(xiàn)階段的研發(fā)水平。該技術(shù)被應(yīng)用在閃存產(chǎn)品的多條生產(chǎn)線上，使KINGMAX可以輕松獲得同比大容量的存儲卡產(chǎn)品，領(lǐng)先于業(yè)界。

八層堆疊結(jié)構(gòu)示意圖

九層堆疊結(jié)構(gòu)示意圖

拿microSD存儲卡為例，由于空間問題，采用4G bit的晶圓普通封裝容量只能達(dá)到512MB，而采用堆疊技術(shù)容量就可以達(dá)到4GB。同理，利用8G bit的晶圓和9層堆疊技術(shù)的結(jié)合，則可制成8GB的microSD存儲卡。KINGMAX利用晶圓堆疊技術(shù)，目前已有8G的SDHC卡以及4G的microSDHC卡上市，存儲卡產(chǎn)品上的應(yīng)用尤顯突出。

KINGMAX作為一家名列中國臺灣省前200強(qiáng)的生產(chǎn)企業(yè)和內(nèi)存模組的引領(lǐng)生產(chǎn)廠商，一直以來倍受消費(fèi)者的信賴，信賴永遠(yuǎn)源于實(shí)力，晶圓堆疊使KINGMAX在消費(fèi)者面前如魚得水，但它也絕不會是KINGMAX坐吃山空的那個(gè)老本，這一點(diǎn)，KINGMAX技術(shù)路上的一個(gè)個(gè)領(lǐng)先可以作證。

標(biāo)簽： 美國 企業(yè) 問題 行業(yè)

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