Micron Technology和 Intel 正在預(yù)熱3D XPoint存儲(chǔ)器，更低價(jià)格和持久存儲(chǔ)將超越DRAM。

Micron和Intel已經(jīng)預(yù)覽了新型存儲(chǔ)器技術(shù)，并稱其速度千倍于NAND，耐久性千倍于DRAM，并提供十倍于目前應(yīng)用于固態(tài)盤中的NAND閃存的存儲(chǔ)密度。

被稱為3D XPoint存儲(chǔ)器的這項(xiàng)技術(shù)由Micron和Intel共同開發(fā)。兩家已經(jīng)開始生產(chǎn)128GB容量的閃存模具。樣品預(yù)計(jì)將于2015年末面世，而基于3D XPoint的新品發(fā)布最快將于2016開始。

新技術(shù)提供幾近DRAM的速度和持久存儲(chǔ)。

價(jià)格方面，預(yù)計(jì)將介于NAND和DRAM之間。

3D XPoint memory采用了交叉點(diǎn)的架構(gòu)模式。與使用晶體管不同，3D XPoint存儲(chǔ)單元的讀寫都通過發(fā)送給每個(gè)選擇器的電壓變化發(fā)生。

“這意味著你可以進(jìn)行更多的寫操作而不用擔(dān)心耐久性的問題，”Intel非易失性存儲(chǔ)解決方案部門總經(jīng)理兼高級(jí)副總裁Rob Crooke說道，“3D XPoint有十倍于NAND的密度并且它

是非易失的，可以作為永久存儲(chǔ)。這對(duì)于很多人來說都是根本性的突破。”

“所有人都想要做到交叉點(diǎn)架構(gòu)，因?yàn)檫@將給予存儲(chǔ)單元最有效的耐久性并提供最高的密度。交叉點(diǎn)架構(gòu)非常重要。”

標(biāo)簽： 問題 選擇

版權(quán)申明：本站文章部分自網(wǎng)絡(luò)，如有侵權(quán)，請(qǐng)聯(lián)系：west999com@outlook.com
特別注意：本站所有轉(zhuǎn)載文章言論不代表本站觀點(diǎn)！
本站所提供的圖片等素材，版權(quán)歸原作者所有，如需使用，請(qǐng)與原作者聯(lián)系。