談到整個DIY產(chǎn)業(yè)，相比過去幾年確實沒落了很多很多。我們再也找不到從單核CPU升級到雙核CPU時的喜悅，在也找不到硬盤容量翻倍帶來的驚喜。這是為什么？其實歸根結(jié)底DIY已經(jīng)到了性能過剩的時代。

在過去印象里，臺式機(jī)唯一的優(yōu)勢就是性能。但如今這個時代，并不是所有人都需要電腦擁有超強(qiáng)的性能，大多數(shù)用戶的日常應(yīng)用，比如上網(wǎng)、聊天、辦公、收發(fā)郵件、看電影、玩網(wǎng)游等，都不需要電腦擁有太高的配置。兩年前的雙核CPU與當(dāng)今頂級六核CPU，在運行這些軟件以及最新的Windows 7操作系統(tǒng)方面，并無太大差別！但是對于存儲產(chǎn)品，是永遠(yuǎn)達(dá)不到過剩的，因為沒有人會嫌棄存儲速度過快，所以對于存儲產(chǎn)業(yè)還需要走很長的路。那么下面筆者就來展望一下未來存儲行業(yè)的幾大看點。

● 縮減成本 30奈米工藝時代來臨

不知是否受到Intel處理器的影響，內(nèi)存的制造工藝腳步不斷加快，預(yù)計到2011年下半年大部分內(nèi)存芯片廠商將使用基于30nm技術(shù)的制程來制造內(nèi)存芯片產(chǎn)品。其實談到內(nèi)存的生產(chǎn)工藝，很多用戶都不理解，下面筆者舉個簡單的例子。

三星新工藝制程的DDR3內(nèi)存

在2010年，三星是第一款推出40奈米制程工藝的廠商，相對于當(dāng)時50或者60奈米工藝而言，生產(chǎn)效率提升60%，所以內(nèi)存生產(chǎn)成本造價上也得到控制，在內(nèi)存利潤率低下的今天，縮減成本可以有效的提升利潤空間。

晶圓

如果所有DRAM廠宣布啟用30nm制程后，DDR3內(nèi)存芯片的產(chǎn)出率將比40nm制程提升60%左右，相比50、60nm制程的成本利用率提升兩倍左右。另外，從節(jié)能上來說最多可節(jié)省30%的功耗，所以新制程的另一個特點就是低功耗、低發(fā)熱。

目前三星和Hynix正在積極向30nm制程遷移，而在他們的帶動下，爾必達(dá)也已經(jīng)研發(fā)成功30nm工藝的2Gb容量DDR3 SDRAM內(nèi)存顆粒，并且核心面積和功耗都創(chuàng)下業(yè)界新紀(jì)錄。轉(zhuǎn)換完成后，爾必達(dá)內(nèi)存芯片產(chǎn)品的成本將大幅降低。

● 新一代DDR4內(nèi)存2011年面世

韓國三星公司日前正式宣布，該公司成功使用30nm工藝推出了業(yè)界首款DDR4內(nèi)存產(chǎn)品。對此三星公司內(nèi)存市場部的執(zhí)行副總裁Dong-Soo Jun表示：“新款DDR4 DRAM內(nèi)存將會為我們先進(jìn)的綠色內(nèi)存帶來更多的優(yōu)勢，特別是在當(dāng)我們?yōu)橹髁鲬?yīng)用使用下一代工藝推出4G DDR4產(chǎn)品的時候。”

DDR4時代將正在2011年提前到來

從上圖我們看出DDR4內(nèi)存起步頻率就達(dá)到了2133MHz，最大頻率可以達(dá)到4266MHz，并且電壓會進(jìn)一步降低至1.2V、1.1V，甚至還可能會有1.05V的超低壓節(jié)能版。而目前的DDR3內(nèi)存最高標(biāo)準(zhǔn)頻率為2133MHz，電壓則有標(biāo)準(zhǔn)版1.5V、節(jié)能版1.35V兩種。所以可以預(yù)見DDR4將繼續(xù)沿著高頻率、低電壓之路前進(jìn)。

三星完成史上第一條DDR4內(nèi)存

有消息稱，JEDEC組織會在2011下半年完成DDR4標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的制定工作，而且三星也會加快與其它DRAM廠的密切合作，并且?guī)椭�制定DDR3標(biāo)準(zhǔn)。所以不出意外，在2011年底我們就能見到真正的DDR4內(nèi)存出爐。

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